国外碳化硅生产工艺技术
2020-12-18T10:12:56+00:00
碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追 腾讯网
2023年6月28日 国产设备也在突进。据纳设智能CEO陈炳安介绍，碳化硅外延生产成本约占碳化硅器件总体成本的23%。现阶段，碳化硅外延的制备方法主要以化学气相沉 2023年4月26日 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。 半导 体材料是制造半导体器件和集成电路 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备 2020年12月8日 随着超精密抛光技术的发展，目前，适合SiC单晶片的超精密抛光加工方法主要有机械研磨、磁流变抛光、离子束抛光、化学机械抛光等，其中化学机械抛 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎2021年4月12日 全球碳化硅(SiC)行业发展概况 碳化硅(SiC)又名碳硅石、金刚砂，是第三代半导体材料的代表之一，SiC主要用于电力电子器件的制造。受新能源汽车、工业电源等应用的推动，全球电力电子碳化硅的市场规 2020年全球碳化硅行业市场现状及竞争格局分析 美国 2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
2021年7月21日 要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。 山西烁科经过反复钻研攻关，最终完全掌握了这项技术，打破了国外垄断，实现了高纯度碳化硅单晶 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用 石英砂 、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过 电阻炉 高温冶炼而成。 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物， 莫桑石 。 在C、N、B等非氧化物高 碳化硅 百度百科 全球领先的中文百科全书2021年1月28日 碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、IIVI、新日铁住金、Norstel等。其中CREE 碳化硅SiC器件目前主要有哪些品牌在做？ 知乎2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公 中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎2023年4月14日 未来，随着技术的不断发展和成本的降低，SiC基片和外延片市场将继续保持快速增长的趋势。 本报告研究全球与中国市场碳化硅基片和外延片的产能、产量、销量、销售额、价格及未来趋势。 重点分析全球与中国市场的主要厂商产品特点、产品规格、价格 全球与中国碳化硅基片和外延片市场现状及未来发展趋势 知乎
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2022年1月10日 碳化硅原材料的特性决定了高于硅晶圆的制备难度和成本。 制备温度方面，碳化硅衬底需要在2500度高温设备下进行生产，而硅晶只需1500度；生产周期方面，碳化硅晶圆约需要7至10天，而硅晶棒只需要2天半；商业化晶圆尺寸方面，目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6 2021年7月21日 要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。 山西烁科经过反复钻研攻关，最终完全掌握了这项技术，打破了国外垄断，实现了高纯度碳化硅单晶的商业化量产。现在，山西烁科碳化硅半导体材料产能国内，市场占有率超过50%。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金 2023年1月11日 2022年，碳化硅（SiC）领域的扩产和收并购动作，是全球性现象。 无论是沉淀相对深厚的Wolfspeed和意法半导体，还是国内产业链公司，都在积极推进 芯趋势丨碳化硅扩产如火如荼，国内生态链疾进 新浪财经2023年6月28日 国产碳化硅正在从产业化向商业化加速迈进。 从产业链来看，SiC产业链条较长，涉及衬底、外延、器件设计、器件制造和封测等一系列环节，各个 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网2019年7月5日 总部位于北京中关村，在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案，基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表。碳化硅（SiC）功率器件发展现状 知乎
第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 碳化硅（SiC）材料是功率
2021年6月8日 碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。 特斯拉 作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳 2022年8月29日 人类历史上次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。 随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究前后长 关于碳化硅，把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅2020年12月8日 多线切割工艺原理：多线切割工艺就是将晶锭按照一定的晶向，将晶锭切割成表面平整、厚度均匀一的切割片，以便于后面的研磨加工。 其基本原理是优质钢线在晶锭表面高速来回运动，附着在钢丝上的切割液中的金刚石颗粒对晶锭产生剧烈摩擦，使得材料碎裂并从母体表面脱落，达到切割的效果。工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎2019年9月2日 随着1978年的大面积碳化硅籽晶生长法的出现以及随后碳化硅薄膜制备技术的完备，碳化硅材料得到了进一步的发展。 随着碳化硅材料制造工艺的进一步发展，以及制造成本的不断下降，碳化硅材料将在高 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎2022年4月27日 1949年，伴随着新中国的诞生，中国科学院成立。 作为国家在科学技术方面的最高学术机构和全国自然科学与高新技术的综合研究与发展中心，建院以来，中国科学院时刻牢记使命，与科学共进，与祖国同行，以国家富强、人民幸福为己任，人才辈出，硕果累累，为我国科技进步、经济社会发展和 8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院
碳化硅：核心优势、产业链及相关公司深度梳理【慧博出品】
2022年9月6日 制造流程：碳化硅衬底属于技术密集型行业。通常以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉，在特殊温场下，采用成熟的物理气相传输法（PVT法）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，经过多道加工工序产出碳化硅衬底。（2）核心工艺流程包括：2023年6月30日 20222027年的整体复合年增长率估计约为17%。 在当前全球碳化硅功率市场高景气行情下，SiC处在爆发式增长的前期，扩产放量是行业关注重点。 国际 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网2019年11月4日 碳化硅（SiC）MOSFET 技术发展史回顾 碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。 不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。 由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是 碳化硅（SiC）MOSFET 技术发展史回顾 知乎2021年7月12日 2010年，天域与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所。 天域是中国家获得汽车质量认证（IATF16949）的碳化硅半导体材料供应链企业。 目前，天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉CVD，月产能5000件。 凭着最先进的外延能力和最 哈勃投的第四家碳化硅企业，为什么选择做SiC外延的它？ 知乎2023年3月27日 公司主要产品包括半绝缘型和导电 型碳化硅衬底，自 2011 年以来专注于碳化硅衬底的研发、生产和销售，2013 年启动 4 英 寸半绝缘型碳化硅衬底的研发工作，通过持续的技术研究和产品开发，于 2015 年实现 4 英寸半绝缘型碳化硅衬底的量产能力。碳化硅行业研究：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道
常压烧结碳化硅技术产业化青岛科技大学淄博研究院 QUST
2021年1月14日 国外解决方案 1、国外企业建立了完善的质量控制体系 国外发达国家的碳化硅陶瓷粉体生产企业普遍建立了完善的质量控制体系，不但拥有全面的质量检测设备，而且产品型号分门别类，根据不同客户的需求建立不同产品质量模型，有效满足下游客户的质量需求。2021年12月5日 碳化硅产业链目前分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用几个环节。 通常首先采用物理气相传输法（PVT 法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD 法）等生成外延片，最后制成相关器件。 在整个碳化硅器件产业链中，由 碳化硅产业链最全分析 知乎2023年1月2日 2018 年，英飞凌收购了碳化硅晶圆切割领域的新锐公司 Siltectra，进入上游衬底领域。 Siltectra 拥有半导体材料新切割技术——冷切（COLD SPLIT），该技术能将 SiC 衬底的良率提高 90%，在相同碳 碳化硅 SiC ~ 技术革新 知乎2022年11月29日 铝碳化硅材料市场规模总体概况 2021年全球铝碳化硅材料市场的销售额约为98961百万元，预计到2028年将达到296254百万元。 我们预计20222028年全球的复合年增长率为1814%。 铝碳化硅材料行业最大的增长驱动力来自于航空航天和军工。 随着航空航天和军工持续 铝碳化硅材料行业调查，2021年全球市场的销售额约为989 2021年11月1日 2016 年，宁波众兴与国防科技大学签署合作协议，获得国防科技大学第二代连续碳化硅陶瓷纤维制备技术独家使用权，开展第二代连续碳化硅陶瓷纤维制备技术的工程化研发，目前已经建成了年产 40 吨级聚碳硅烷（PCS）生产线以及年产10吨级第二代连续碳 碳化硅纤维制备工艺有哪些？中国复合材料工业协会官网
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
2023年7月14日 碳化硅“狂飙” 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和封装模块等。 从产业模式看，与国外产业链主要以纵向多环节整合为主不同，国内产业链相对较为分散，除三安光电以及中电科下属研究所采用产业链全覆盖 2023年6月17日 内容介绍： 碳化硅产业链主要分为以下几个环节：设备和材料环节，包括晶体生长炉、MOCVD、切割设备及碳化硅粉体、石墨件等耗材；衬底和外延环节，包括导碳化硅晶体生长、衬底晶片、外延片等制造；碳化硅芯片和器件环节，设计、生产制造碳化硅功率器件和模块；下游应用环节，包括新能源 中国碳化硅衬底行业研究与投资预测报告（2023版） 知乎2022年5月13日 生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。 目前，SiC单晶生长方法有物理气相传输法（PVT法）、液相法（LPE法）、高温化学气相沉积法（HTCVD法）等。一张图了解第三代半导体材料——碳化硅 百家号2021年7月3日 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅 2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
碳化硅陶瓷精密结构部件制备加工工艺 知乎
2023年9月13日 碳化硅陶瓷精密结构部件制备加工工艺 每一个成功者都有一个开始，勇于开始，才能找到成功的路。 中国建材总院在近净尺寸成型工艺——凝胶注模成型的基础上，开发出用于制备新型大尺寸、复杂形状、高精度碳化硅陶瓷部件的工艺技术。 制备流程中 2022年3月7日 来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》 工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越大，良率越低。碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎2023年1月1日 碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。 碳化硅 知乎中国碳化硅冶炼生产工艺、技术 装备和单吨能耗达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。中国碳化硅与世界先进水平的差距主要集中在四个方面：一是在生产过程中很少使用大型机械设备，很多工序 碳化硅 百度百科 全球领先的中文百科全书2021年7月21日 要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。 山西烁科经过反复钻研攻关，最终完全掌握了这项技术，打破了国外垄断，实现了高纯度碳化硅单晶的商业化量产。现在，山西烁科碳化硅半导体材料产能国内，市场占有率超过50%。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
碳化硅，踏入8英寸时代！产业资讯中国粉体网
2022年4月27日 2020年10月，据山西日报报道，山西烁科晶体公司完全掌握46英寸衬底片“切、磨、抛”工艺，同时8英寸衬底片已经研发成功。2022年1月，烁科晶体实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出关键一步。图 2020年8月14日 2碳化硅陶瓷制造工艺 《1》 成型 碳化硅陶瓷的成型可用常规成型法，形状复杂的坯体可采用泥浆浇注法和注射成型法。 《2》 烧成 ① 常压烧结法： 采用高纯度超细粉料，选择合理的工艺、适当的添加剂，能够通过常压烧结途径得到高密度的碳化硅制品。有没有能加工碳化硅陶瓷的加工厂？ 知乎2020年6月9日 位于示范区内的中国电科(山西)碳化硅材料产业基地，就是全国最大生产规模的碳化硅生产基地。 从长期依赖进口、被国外“卡脖子”，到掌握批量生产技术、实现完全自主供应，近年来，中国的碳化硅研制与生产成效卓著。从“卡脖子”到彻底摆脱进口依赖 小小碳化硅晶片背后有大能量 2020年12月2日 相对于传统的硅基应用技术，碳化硅半导体功率器件生产中在关键步骤有着较多的挑战。 衬底和外延 衬底是功率器件的基础，由于目前Si基功率器件生产厂商的大部分生产线支持4英寸以上的晶圆，因此4、6英寸及以上SiC衬底技术的成熟是SiC功率器件在所有重要领域大规模应用的前提条件。技术碳化硅功率器件的三大关键技术 知乎2021年11月5日 受益于市场对碳化硅芯片的需求加大，第三代半导体已成为群雄逐鹿之地，不仅国际巨头“跑马圈地”，国内企业也不甘落后，纷纷布局碳化硅 国产碳化硅替代机遇显现 第三代半导体群雄逐鹿资本入局
国内碳化硅产业链材料
2021年1月4日 缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工技术。碳化硅 单晶衬底材料线切割工艺存在材料损耗大、效率低等缺点，必须进一步开发大尺寸碳化硅晶体的切割工艺，提高加工效率。衬底表面加工质量的好坏直接决定了外延材料的表面缺陷密度，而大尺寸 2022年12月15日 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻2021年1月28日 碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、IIVI、新日铁住金、Norstel等。其中CREE 碳化硅SiC器件目前主要有哪些品牌在做？ 知乎2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公 中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎2023年4月14日 未来，随着技术的不断发展和成本的降低，SiC基片和外延片市场将继续保持快速增长的趋势。 本报告研究全球与中国市场碳化硅基片和外延片的产能、产量、销量、销售额、价格及未来趋势。 重点分析全球与中国市场的主要厂商产品特点、产品规格、价格 全球与中国碳化硅基片和外延片市场现状及未来发展趋势 知乎
8英寸碳化硅晶圆，这么难的吗？电子工程专辑
2022年1月10日 碳化硅原材料的特性决定了高于硅晶圆的制备难度和成本。 制备温度方面，碳化硅衬底需要在2500度高温设备下进行生产，而硅晶只需1500度；生产周期方面，碳化硅晶圆约需要7至10天，而硅晶棒只需要2天半；商业化晶圆尺寸方面，目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6 2021年7月21日 要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。 山西烁科经过反复钻研攻关，最终完全掌握了这项技术，打破了国外垄断，实现了高纯度碳化硅单晶的商业化量产。现在，山西烁科碳化硅半导体材料产能国内，市场占有率超过50%。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金 2023年1月11日 2022年，碳化硅（SiC）领域的扩产和收并购动作，是全球性现象。 无论是沉淀相对深厚的Wolfspeed和意法半导体，还是国内产业链公司，都在积极推进 芯趋势丨碳化硅扩产如火如荼，国内生态链疾进 新浪财经2023年6月28日 国产碳化硅正在从产业化向商业化加速迈进。 从产业链来看，SiC产业链条较长，涉及衬底、外延、器件设计、器件制造和封测等一系列环节，各个 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网2019年7月5日 总部位于北京中关村，在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案，基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表。碳化硅（SiC）功率器件发展现状 知乎
第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 碳化硅（SiC）材料是功率
2021年6月8日 碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。 特斯拉 作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳 2022年8月29日 人类历史上次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。 随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究前后长 关于碳化硅，把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅