碳化硅
2020-03-03T02:03:50+00:00
碳化硅百度百科
2023年9月25日 碳化硅 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用 石英砂 、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過 電阻爐 高温冶煉而成。 碳 2021年11月10日 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材 碳化硅：第三代半导体核心材料新华网8英寸碳化硅单晶研究获进展 来源： 物理研究所 【字体： 大 中 小 】 语音播报 碳化硅（SiC）是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强（约为Si的10倍）、高饱和 8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院在高达1400℃的温度下，碳化硅甚至仍能保持其强度。 这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。 因其化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA2021年9月8日 什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 巩义丰泰耐材 主营：金刚砂 人造磨料 天然磨料 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。 化学式为SiC。 无色晶体，外 什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 知乎
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材 2022年1月1日 碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为92～95，但比金刚石、立方氮化硼等几种物质稍低。 碳化硅的热导率很高，大约为氮化硅的2倍；其热膨胀系数约为三氧化二铝的一 碳化硅化工百科 ChemBK2019年9月2日 碳化硅材料具有很高的临界位移能约为45~90eV。这使得碳化硅材料具有很高的抗辐射能力和抗电磁波冲击(EMP：ElectroMagnetic Pluse) 能力。表1 室温下几种半导体材料特性的比较 表1列出了碳化硅与 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎2019年2月22日 2018年11月13日，天岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。 据悉，天岳碳化硅材料项目由山东天岳 国内第三代半导体厂商（碳化硅） 知乎2023年10月19日 全球半导体观察丨DRAMeXchange为您提供碳化硅最新的资讯动态。 这家SiC功率测试设备企业完成亿元战略融资 近日，忱芯科技宣布完成亿元战略融资，本轮融资由火山石投资、华润旗下润科基金、老股东武岳峰科创联合投资，融资资金将 碳化硅最新资讯动态全球半导体观察丨DRAMeXchange
碳化硅陶瓷百度百科
2022年8月30日 碳化硅(SiC) [1] 是共价键很强的化合物，其SiC键的离子型仅12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400摄氏度时强度将显著降低，而碳化硅在1400摄氏度时抗弯强度仍保持在500 ~600MPa的较高 2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎2023年8月23日 一、碳化硅简介与特性 碳化硅（SiC）是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和涂层等领域。碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析 知乎市场上有关碳化硅的设备有峰值温度约1950度高温退火设备 碳化硅器件高温活化炉 和峰值温度约1380度用于碳化硅氧化的 碳化硅高温氧化炉。由于制备碳化硅晶体所需温度通常需达到2000度以上，故用于制备碳化硅晶体的设备最高温一般可达2500度以上。碳化硅晶体百度百科2023年9月25日 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。碳化硅百度百科
第三代半导体材料的王者，氮化镓or碳化硅？ 知乎
2020年2月22日 最近很火的特斯拉model3采用了意法半导体的24个碳化硅MOSFET模块，对比硅基的IGBT续航可以提升5~10%。 3、两者对比 从两者各自的特性，碳化硅是衬底材料最优的选择，以此生长碳化硅的外延片适合高压功率半导体，生长氮化镓的外延片适合中低压功率半导体、LED 2021年10月20日 为什么要用碳化硅 ？ 关于蔚来ET7的主驱系统——180kW的永磁电机，为什么会用上碳化硅功率模块技术？「首先一切从用户的利益出发，如果这一项开发对用户有利，那我们就要去做，而且是尽快去做」。而现在「货架」上没有一个完整的碳化硅 为什么要用碳化硅？解析蔚来第二代电驱系统 知乎2020年9月2日 碳化硅较硅有何性能优势？ 硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与SiC相比，则显得效率低下。 SiC现在已开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源 碳化硅与硅相比有何优势？适合哪些应用？EDN 电子 2022年8月29日 人类历史上次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。 随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究前后长 关于碳化硅，把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅2021年9月27日 碳化硅（Silicon carbide），化学式为SiC，分子量401。化学式虽然简单，但是其应用广泛，这是由碳化硅的结构决定的。结构={组元，组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质，组元就是碳原子和硅原 3C/4H/6H碳化硅单晶的多型 知乎
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 2021年9月8日 碳化硅的用处 碳化硅制品具有耐高温、耐磨、耐热震、耐化学腐蚀、耐辐射和杰出的导电性、导热性等特别功用，因而在国民经济各部门中具有广泛的用处。 在我国，绿碳化硅首要用做磨料。 黑碳化硅用于制造磨具，多用于切开和研磨抗张强度低的资 什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 知乎2021年12月4日 转载自：信熹资本Part I 简介01 什么是碳化硅纯碳化硅（SiC）是无色透明的晶体，又名莫桑石（Moissanite）, 高品质莫桑石的火彩好于钻石。天然碳化硅非常罕见，仅出现在陨石坑内，常见碳化硅主要通过人工合成得到。碳化硅又叫金刚砂，具有优良的热力学和电化学性能。碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一） 转载自：信熹 2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金 2020年5月27日 第三阶段是以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化锌（ZnSe ）等宽带半导体原料为主。 半导体材料与器件发展史 在材料领域的代，第二代， 第三代 并不具有“后一代优于前一代”的说法。国外一般会把氮化镓、碳化硅等材料叫做宽禁带 科普丨、二、三代半导体的区别在哪里？材料
大家对碳化硅器件的前景如何看？ 知乎
2022年12月3日 简单来说，作为第三代半导体中的代表材料，碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，基于碳化硅的解决方案可使系统效率更高、重量更轻，且结构更紧凑。 车载器件是碳化硅功率器件最重要的应用领域之一。 市场调查公司Yole的数据 2022年12月27日 碳化硅：未来510年不会过剩 根据Wolfspeed预计，2022年全球碳化硅器件市场规模达43亿美元，2026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。 碳化硅：第三代半导体突破性材料。 SiC是第三代半导体材料，其具备极好的耐压性、导热性和耐热性，是制造功率器件 碳化硅：未来510年不会过剩亿欧2020年11月25日 碳化硅（SiC）电力电子器件将替代IGBT——这是英飞凌、罗姆等国际知名企业一致观点。 该观点获得了全球电驱动领域普遍认同。中国科学院院士欧阳明高曾表示，在驱动电机方面，碳化硅将取代IGBT 让新能源汽车电机更小更轻的碳化硅，在中国发展情况 2021年11月10日 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，在航天等极端环境应用领域里更有着不可替代的地位。 碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料 碳化硅：第三代半导体核心材料新华网2022年3月9日 碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术，目前行业采用主流的方法为物理气相传输法（PVT）。碳 化硅衬底行业属于技术密集型行业，是材料、热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械 第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（上篇） 知乎
碳化硅标准分析测试百科网
2023年10月13日 提供碳化硅分类下的所有标准, 国家标准查询，国家强制性标准免费下载 EN RU ES 碳化硅 本专题涉及碳化硅的标准有324条。 国际标准分类中，碳化硅涉及到切削工具、陶瓷、半导体材料、能源和热传导工程综合、耐火材料、牙科、厨房设备、复合增强材料、化工设备、导体材料、热力学和温度测量 2019年7月26日 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物。跟传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料 什么是碳化硅（SiC）？相较于Si性能优势有哪些？ 百家号2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺2022年12月26日 硅、碳化硅、氮化镓？ 半导体开关技术哪个强？ 宽禁带技术大行其道，一个重要原因是，相比于经典的硅开关器件，理论上氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术通常具有更加出色的性能。 其性能提升包括降低通态电阻和提高热导率，这些特性有助于提 硅、碳化硅、氮化镓？半导体开关技术哪个强？ 知乎2022年2月18日 碳化硅，究竟贵在哪里？ 来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）原创，作者：姚东来，谢谢。 碳化硅半导体，是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优 碳化硅，究竟贵在哪里？ 知乎
中芯集成正式设立芯联动力，多家知名产投联合投资碳化硅
2023年10月24日 芯联动力在主驱逆变碳化硅 芯片、模块等方面的研发加速推动了碳化硅产品的国产化；合作过程中，其深厚的研发和量产经验也给我们留下了深刻的印象。很高兴看到芯联动力得到众多产业投资方的认可，相信公司定能在波澜壮阔的电动化浪潮中 2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 梁上尘 梁上尘土 在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代： 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎2022年12月6日 一、头顶第三代半导体的光环 氮化镓（GaN）和 碳化硅 （SiC）同属于第三代半导体。 第三代半导体材料 禁带宽度 大 ，具有击穿电场高、热导率高、 电子饱和速率 高、抗辐射能力强等优势。 因此采 同为第三代半导体的氮化镓和碳化硅，他们在应用上有 2020年12月25日 01、碳化硅功率器件制备及产业链 SiC功率器件的制备过程，包含SiC粉末合成、单晶生长、晶片切磨抛、外延（镀膜）、前道工艺（芯片制备）、后道封装。 图：SiC功率半导体制备工艺 目前，SiC衬 国内碳化硅产业链！电子工程专辑2020年10月15日 频率；同时，碳化硅材料更高的热导率也有助于提 升系统的整体功率密度。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性，使电力电子 系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。 碳化硅器件的这些优良特性，需要通过封装与碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE
碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革
2022年10月9日 碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛，市场增长空间广阔。 根据碳化硅行业 全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测，受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等 需求驱动，2026 年碳化硅器件市场规模有望达到 89 亿美元，其中用于新能源汽车和工业、能源的 2019年11月29日 碳化硅的导电性较强，属于半导体，温度达2000℃时，碳化硅的导电能力和石墨相当。碳化硅常常被用于制造硅碳棒、硅碳管等发热元件。碳化硅的耐高温性好。常压下，碳化硅的不一致熔融温度为2760℃。碳化硅具有很高的强度，抗折强度可达625MPa。碳化硅质耐火原料的矿物、物理、化学性质简述与技术条件 23 小时之前 Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFET technology represents the best performance, reliability, and ease of use for system designers Silicon Carbide (SiC) power transistors open up new degrees of flexibility for designers to harness never before seen levels of efficiency and reliabilityHigh voltage CoolSiC™ MOSFET technology has also Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs Infineon Technologies2021年11月4日 1、公司是所有产品都应用碳化硅（SiC）的功率器件吗？ 主要和哪些厂商合作？有哪些优势？回复：公司目前主要产品都在采用碳化硅功率器件。欣锐 科技从2013年开始接触碳化硅，全世界最早是欣锐科技、比亚 迪和特斯拉三家来用碳化硅并批量交付的。碳化硅（SiC）属于新能源车的能源革命？ 知乎2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
碳化硅（SiC）功率器件发展现状 知乎
2019年7月5日 3、碳化硅绝缘栅双极晶体管（SiC BJT、SiC IGBT）和碳化硅晶闸管（SiC Thyristor） 之前报道了阻断电压12kV的碳化硅P型IGBT器件，并具有良好的正向电流能力。SiC IGBT器件的导通电阻可以与单极的碳化硅功率器件相比。2021年11月15日 最后制成器件。在SiC器件的产业链中，主要价值量集中于上游碳化硅衬底（占比50% 左右）。碳化硅衬底依电阻率不同分为导电型和半绝缘型两类，分别外延沉积碳化硅和氮化镓后，用于功率器件和射频器件的制作。两大产品 碳化硅（SiC）板块最近为啥走强？ 知乎2019年9月2日 碳化硅材料具有很高的临界位移能约为45~90eV。这使得碳化硅材料具有很高的抗辐射能力和抗电磁波冲击(EMP：ElectroMagnetic Pluse) 能力。表1 室温下几种半导体材料特性的比较 表1列出了碳化硅与 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎2019年2月22日 2018年11月13日，天岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。 据悉，天岳碳化硅材料项目由山东天岳 国内第三代半导体厂商（碳化硅） 知乎2023年10月19日 全球半导体观察丨DRAMeXchange为您提供碳化硅最新的资讯动态。 这家SiC功率测试设备企业完成亿元战略融资 近日，忱芯科技宣布完成亿元战略融资，本轮融资由火山石投资、华润旗下润科基金、老股东武岳峰科创联合投资，融资资金将 碳化硅最新资讯动态全球半导体观察丨DRAMeXchange
碳化硅陶瓷百度百科
2022年8月30日 碳化硅(SiC) [1] 是共价键很强的化合物，其SiC键的离子型仅12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400摄氏度时强度将显著降低，而碳化硅在1400摄氏度时抗弯强度仍保持在500 ~600MPa的较高 2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎2023年8月23日 一、碳化硅简介与特性 碳化硅（SiC）是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和涂层等领域。碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析 知乎市场上有关碳化硅的设备有峰值温度约1950度高温退火设备 碳化硅器件高温活化炉 和峰值温度约1380度用于碳化硅氧化的 碳化硅高温氧化炉。由于制备碳化硅晶体所需温度通常需达到2000度以上，故用于制备碳化硅晶体的设备最高温一般可达2500度以上。碳化硅晶体百度百科2023年9月25日 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。碳化硅百度百科
第三代半导体材料的王者，氮化镓or碳化硅？ 知乎
2020年2月22日 最近很火的特斯拉model3采用了意法半导体的24个碳化硅MOSFET模块，对比硅基的IGBT续航可以提升5~10%。 3、两者对比 从两者各自的特性，碳化硅是衬底材料最优的选择，以此生长碳化硅的外延片适合高压功率半导体，生长氮化镓的外延片适合中低压功率半导体、LED 2021年10月20日 为什么要用碳化硅 ？ 关于蔚来ET7的主驱系统——180kW的永磁电机，为什么会用上碳化硅功率模块技术？「首先一切从用户的利益出发，如果这一项开发对用户有利，那我们就要去做，而且是尽快去做」。而现在「货架」上没有一个完整的碳化硅 为什么要用碳化硅？解析蔚来第二代电驱系统 知乎